上述动图的工作切片层级关系如下:
光刻机照射到部分的光阻会发生相应变化,一般使用显影液将曝光部分祛除
而被光阻覆盖部分以外的氧化膜,则需要通过与气体反应祛除
通过上述显影液、特殊气体祛除无用光阻之后,通过在晶圆表面注入离子激活晶体管使之工作,进而完成半导体元件的全部建设 。
做到这里可不算大功告成,这仅仅是错综复杂的集成电路大厦中,普通的一层“楼”而已 。
光刻机的性能指标
文章插图
光刻机的主要性能指标有:支持基片的尺寸范围,分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等 。
分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式 。
对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度 。
曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式 。
曝光光源波长为紫外、深紫外和极紫外区域,光源有汞灯,准分子激光器等 。
光刻机和刻蚀机的区别
文章插图
刻蚀相对光刻要容易 。光刻机把图案印上去,然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案(或者没有图案)的部分,留下剩余的部分 。
原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质,易于腐蚀 。
“刻蚀”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形 。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路 。
扩展资料:
光刻机一般根据操作的简便性分为三种,手动、半自动、全自动
1.手动:指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度可想而知不高了;
2.半自动:指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐;
【光刻机是什么 光刻机简述】3.自动: 指的是 从基板的上载下载,曝光时长和循环都是通过程序控制,自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要 。
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