为了减小以致消除这种损耗 , 功率场效应管宜采用零电压开通方式(ZVS) 。绝缘栅双极性晶体管(Insulated gate bipolartransistor , IGBT)是一种复合器件 , 关断时的电流拖尾导致较大的关断损耗 , 如果在关断前使通过它的电流降为零 , 则可以显著地降低开关损耗 , 因此IGBT宜采用零电流(ZCS)关断方式 。
IGBT在零电压条件下关断 , 同样也能减小关断损耗 , 但是MOSFET在零电流条件下开通并不能减小容性开通损耗 。谐振变换器(ReSO.nantconverter , RC)、准谐振变换器(Quasi.reso
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