cmos芯片型号(工业相机芯片厂家)

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前言提到CCD或CMOS,即使是摄影爱好者(进阶者除外)也可能会不知所云 。但如果说「相机芯片」「影像传感器」「全画幅芯片」之类的,大家便会瞬间觉得熟悉很多 。在不严谨讨论的情况下,我们大概可以认为CCD、CMOS和影像传感器就是一回事,但事实上它们并不等价,不能混为一谈 。
【cmos芯片型号(工业相机芯片厂家)】并非影像君故弄玄虚,而是因为CCD和CMOS分别代表了两种主流的、不同设计、不同原理的影像传感器技术——这便是本文想要探讨的话题 。我们不仅要讨论「是什么」(What),而且还要尝试讨论「如何」(How)和「为什么」(Why) 。
「芯片」的话题很大,我们不妨先从半导体的概念开始说起 。
一、半导体「半导体」是一个相对导体和绝缘体而提出的概念,因此,我们有必要先了解一下何为导体和绝缘体 。
1.1 导体、绝缘体
从「导电性」的角度而言,我们大致可将物体分为「导体」和「绝缘体」:前者导电,后者不导电 。
是什么本质原因导致了两者在导电性能上的差异呢?这便不得不提「原子结构」的问题 。
1913年,丹麦理论物理学家玻尔(Niels Bohr)在前辈卢瑟福(Ernest Rutherford)的研究基础上提出了「卢瑟福-玻尔原子模型」,如图1-1所示:


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图1-1
理论认为,原子由带正电的原子核和带负电的电子组成,原子核又可细分为带正电的质子和不带电的中子,电子则处于原子核外的离散轨道上 。电子距原子核越远(电子轨道越高),其受到的约束力越小 。
该模型还从「能级」(energy level)的角度描述了电子的运动特性 。电子所处的轨道越高,其能级也越高,反之亦然 。最外层的轨道能级最高,通常用「价带」(valence band)来描述 。当吸收能量时,电子受激发,从低能级(低轨道)向高能级(高轨道)迁跃(如图1-2所示) 。


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图1-2
若吸收的能量足够多,电子便能突破原子核的束缚,从价带跃迁至导电带(conduction band),成为可以自由游动的电子 。自由电子越多,则物体导电性能越强 。
1.2 半导体
半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料,在自然状态下,其导电性能接近于绝缘体,但只要有少量电子吸收了能量,便能跃迁至导电带,成为导体 。
常见的半导体材料是在硅(Si)材料中掺杂其它元素,如磷(P)或硼(B) 。三者在元素周期表中的位置相邻,它们有相近的原子结构——最外层的电子数分别为4、5、3 。因此,当在硅材料中掺杂磷元素时,由于两两共价而达到稳定的电子层结构,每个磷原子会多出一个自由电子,这种提供自由电子(也称为「供体」)的半导体称为「N型半导体」(N为negative的缩写),如图1-3所示[1]:


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图1-3
同理,当在硅材料中掺杂硼时,由于共价的关系,每个硼原子会多出一个呈正极的电子空位,称为电子穴(hole),这种有吸引电子(也称为「受体」)能力的材料称为「P型半导体」(P为positive的缩写),如图1-4所示:


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图1-4
1.3 PN结
P型半导体和N型半导体整合在一起时,便形成了一个PN结,中间边界附近、束缚较弱的电子会自由移动并填充P型硅的电子穴,逐渐达到一种动态平衡,在中间形成了一个耗尽区(depletion area),如图1-5所示:


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图1-5
当给两极施加反向偏压(即P侧加负电压,N侧加正电压)时,耗尽区增加,导电性能下降;当施加正向偏压(即P侧加正电压,N侧加负电压)时,耗尽区减少,导电性能上升 。这种通过控制偏压达到单向导电的目标的元件,即为二极管 。
二、数字影像之「芯」:CCD1969年,美国贝尔实验室的两位科学家 Willard Boyle和George E. Smith发明了数字影像传感芯片——CCD 。CCD的英文全称为Charge-Coupled Device,直译为「电荷耦合设备」 。
2.1 CCD结构
根据CCD的结构,我们大致可将其分为上下两大部分:
光学滤镜和集成电路 。
CCD芯片的表面是一系列光学滤镜组件,主要由抗红外线的微型透镜和拜耳彩色滤镜两部分组成,如图2-1所示:


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图2-1
拜耳阵列(Bayer array)彩色滤镜是彩色成像的重要组件,它使用了RGB(红绿蓝)色彩模型 。由于人眼对绿色的敏感度是红色和蓝色的两倍,因此绿色滤镜的数量是红色和蓝色的两倍 。
滤镜下一层便是传感器集成电路 。上面是数以千万计的像素(即感光单元),每一个像素均由4个(2个绿色滤镜、1个红色滤镜和1个蓝色滤镜)光电二极管构成 。像素呈分层结构,从上至下依次为:多晶硅电极、二氧化硅、N型半导体和P型半导体 。其横截面示意图如图2-2所示:


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图2-2,Photo via MicroscopyU
2.2 CCD运行原理
继续看上面的图2-2 。我们可以看到,PN结处有一个耗尽区,当施加反向电压(上为正极,下为负极)时,电子吸收了入射光的能量而跃迁成为了自由电子,存储于正电极下方所形成的电势井(potential well)中 。若把电势井类比为杯子,光生电子(光电效应所产生的电子)则类似于杯子里的水 。入射光越强,光生电子也越多,杯里的水便越多 。
电压的开启与关闭由一系列的时序门电路控制,电势井会随着电压的改变而向邻近高电压处迁移,从而达到了电荷转移的目的 。其动态示意图如图2-3所示:


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图2-3
2.3 CCD的三种架构
CCD设计通常有三种架构:
帧转移(FT)、全帧(FF)和行间转移(IL) 。
三种架构代表了三种不同的电荷转移方式,其示意图如图2-4所示(箭头即为电荷转移方向):


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图2-4
下面我们简单来了解一下这3种架构的CCD 。
2.3.1 帧转移架构
帧转移架构(frame transfer)的CCD分为两部分:影像区和存储区 。前者由光电二极管组成,负责将光电信号转换成模拟电信号;后者则有遮光涂层,不感光,主要用于存储并读取电荷数据 。其结构示意图如图2-5所示:


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图2-5,Photo via Hamamatsu.magnet.fsu.edu
平行时钟控制偏压电路,将电荷从影像区转移至存储区,系列移位寄存器以「行」为单位读取电荷数据后传输至芯片外部的信号放大器 。最后一行的电荷数据从芯片转移出去之后,开始重复下一行数据的转移[1] 。
此类CCD的优点是较高的帧转移效率,无需机械快门 。缺点是较低的影像解析度(较小的感光区,可容纳的像素较少)和较高的成本(两倍的硅基面积) 。
2.3.2 全帧架构
与帧转移架构最大的不同是,全帧架构(full frame)的全部区域均为感光区,不设独立存储区 。平行移位寄存器位于感光区下一层,也是以行为单位读取电荷,余者与帧转移类似 。如图2-6所示:


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图2-6,Photo via Hamamatsu.magnet.fsu.edu
正如前文所述,为了便于大家理解,可将电势井类比为杯子,电子类比为水,则,其电荷转移原理示意图可用图2-7来表示:


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图2-7
此类CCD的优点是:拥有更高的芯片使用率,制作成本相对低廉 。若寄存器在读取光电二极管的数据时,后者仍然处于曝光状态,则最终的影像将会出现拖尾效应(如图2-8所示) 。因此,此类CCD需配合机械快门一起使用,后者起到了遮光和控制曝光的作用 。


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图2-8
2.3.3 行间转移架构
行间转移架构(interline transfer)在外观设计上与全帧CCD类似,不同之处在于,每个像素旁边即有一个不感光的寄存器,每两个像素成对耦合在一起,电荷以「每两个像素为单位」转移至寄存器,这便是「电荷耦合」名称的由来 。如图2-9所示:


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图2-9,Photo via Hamamatsu.magnet.fsu.edu
此类型CCD最大的优点是,无需搭配机械快门,较高的帧转移效率,因此,影像拖尾效应也相对减少 。缺点是,更复杂的设计架构和更高的制作成本 。
三、数字影像之「芯」:CMOS3.1 CMOS结构
1992年,美国航空航天局(NASA)喷气推进实验室科学家Eric Fossum博士发表了长篇论文,讨论了有源像素传感器技术的应用,后来便有了CMOS传感器的出现 。
CMOS,英文全称为Complementary Metal-Oxide Semiconductor,译为「互补金属氧化物半导体」 。CMOS影像传感器主要由以下四部分构成:
(1)微透镜:位于传感器最顶层,主要作用是将入射光线聚焦于光电二极管,提高光线的利用率 。
(2)彩色滤镜:与CCD类似,也是拜耳滤镜,包含红、绿、蓝三种颜色,用于过滤不同波长的光线 。
(3)金属连接层(电路):金属(铝或铜)连接线和氧化物保护膜 。
(4)硅基:内置主要元件为光电二极管,将光信号转换成电信号 。
其横截面示意图如图3-1所示:


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图3-1,Photo by IBM 。
3.2 CMOS运行原理
与CCD最大的不同是,CMOS的每个像素都内置有一个独立的信号放大器,因此,CMOS传感器也被称为有源像素传感器(APS,Active Pixel Sensor) 。光线进入CMOS后与光电二极管发生光电效应,偏压门电路控制后者的光敏性,从上至下逐行扫描式曝光,每个像素内产生的电信号均被立即放大(相关知识,可阅读影像派之前的文章《摄影知识科普 | 你最熟悉的「快门」,却藏有这些你最陌生的认知》) 。传感器的每一列都有模数转换器(ADC),以「列」为单位读取电荷数据并转移至并行处理总线,然后输送至信号放大器,最后传至图像处理器 。
示意图如图3-2所示:


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图3-2
3.3 前照式 vs 背照式
根据结构的不同,CMOS影像传感器可分为「前照式」和「背照式」两种 。
传统CMOS的光电二极管位于传感器的最底部、金属线下方,入射光从光电二极管的前面(与电路相连的一侧)进入,此类CMOS传感器因此被称为「前照式传感器」(FSI, Front-side Illuminated Sensor) 。如图3-3所示:


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图3-3
前照式传感器有一个最大的缺点:
光线在照射到光电二极管时要先经过电路,电路中的金属线会反射一部分入射光,这不仅直接降低了光线的利用率,而且光线的散射也增加了系统的噪声,降低了传感器的宽容度 。
为了提升传感器在弱光环境下的感光表现,减少系统噪声,后来在前照式设计的基础上进行了改进与升级,将光电二级管置于电路上方,入射光经过滤镜后直接从二极管的背面(背对电路的一侧)进入 。因此,此类CMOS被称为「背照式传感器」(BSI, Back-side Illuminated Sensor) 。如图3-4所示:


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图3-4
背照式传感器的优点在于:
大大缩短了光线抵达光电二极管的路径,减少了光线的散射,使光线更聚焦,从而提升了在弱光环境中的感光能力,减少了系统噪声和串扰 。背照式设计是CMOS技术的重大改进,对传统CMOS具有更大的竞争优势 。
四、CCD vs CMOS最后,我们来简单对比一下两类影像传感器的优劣 。
4.1 CCD的优劣


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CCD传感器的主要优点是高画质(噪点较少)和高光敏性(感光区域面积更大),但同时也有高能耗、易发热、制作成本高和低处理效率等缺点 。CCD主要应用于对画质和宽容度要求较高的领域,如航天、医学等 。
4.2 CMOS的优劣


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由于每像素都有独立放大器,而且每一列都有模拟/数字信号转换器,CMOS传感器比CCD有更高的数据处理效率高 。由于所需电压比CCD低,能耗也大幅减少,无发热问题 。低廉的生产成本使得CMOS有技术应用普及、高度商业化的优势 。CMOS的这些优点,都是CCD所不具有的 。
然而,CMOS并非完美 。大量增加了信号放大器固然提升了数据处理效率,但同时也无可避免地抬高了系统的底噪,使得最终影像的噪点问题更为突出,画质方面的表现不及CCD 。此外,CMOS的像素区域(感光区)尺寸不如全帧架构CCD,导致前者的弱光表现能力亦不及后者 。
虽然CMOS凭借其小尺寸、低成本、低能耗等优势,一直主宰着消费级数码相机和手机摄影领域,但并不意味着CCD已被市场淘汰,两者不是谁取代谁的问题,而是两者各有千秋,各有各的江湖 。
结语综观全文,我们从原子结构的角度切入,引出了半导体,继而深入探讨了CCD和CMOS,分别向大家简要介绍了各自的物理结构和运行原理 。文章虽长,但依旧难免疏漏,无法做到面面俱到,只因传感器的真实世界远比我们想象中要复杂和浩瀚 。限于篇幅与个人能力,【影像派】也只能略陈一二,权当抛砖引玉 。不足之处,还望读者斧正 。
参考文献
[1]Mortimer Abramowitz,Michael W. Davidson,
Concepts in Digital Imaging Technology,hamamatsu.magnet.fsu.edu
[2]Elizabeth Allen,Sophie Triantaphillidou,The Manual_of_Photography (10th ed.) Oxford Focal Press;
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