新品氮化镓功率器件问世,导阻仅115mΩ
小米入局33W迷你快充市场
飞利浦推出20WPD充电器
华为MateX2搭载55W超级快充
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基于手机厂商和终端用户的需要 , 近日 , 英诺赛科65WGaN快充方案再升级 , 采用InnoGaN系列具有更低的Ron(115mΩ)、更小寄生电容和DFN5*6小封装的第二代新品INN650DA01 , 搭配ON的PWM控制芯片和MPS的同步整流控制芯片 , 可打造出高效率和高功率密度的全新65W快充方案 。
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该方案支持PD2.0、PD3.0、PPS、QC2.0/3.0、AFC、FCP、BC1.2DCP、5V2.4A等协议 , 加之小巧的设计完美解决了传统充电器的专款专用、体积大、携带不便的痛点 。
一、输入全电压范围 , 效率达93%以上
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InnoGaN65WDemo与两大主流品牌效率对比
从上图可知 , InnoGaN65WDemo在90V-264V电压下 , 效率均可达到93-95%之间 , 高效且稳定;与市场上主流品牌的SiMOS方案对比 , 效率提高5% , 损耗减少大大提升充电速度 , 是手机、iPad、笔记本电脑的首选 , 达到迅速回血!
二、迷你体积 , 小巧轻便
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InnoGaN65WDemo与市面主流品牌快充体积对比
InnoGaN65WDemo主打高密度、小体积 , 与市场上主流快充产品相比 , 功率密度提升1倍 , 频率提高2倍 , 体积缩小30% , 无论是日常出行或外出旅游 , 均能轻松入袋!
【新品氮化镓功率器件问世,导阻仅115mΩ】英诺赛科第二代新品INN650DA0165WGaN快充方案 , 实现“更小体积、更高效率、安全稳定”的特性 , 极大满足各大厂商与终端用户的切实需求 , 将引领快充市场 。
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