硬件|台积电确认正研发3nm和4nm工艺:功耗降低30%、2022年量产
在台积电第26届技术研讨会上 , 台积电不仅确认5nm、6nm已在量产中 , 且5nm还将在明年推出N5P增强版外 , 更先进的3nm、4nm也一并公布 。3nm是5nm的自然迭代 , 4nm理论上说是5nm的终极改良 。技术指标方面 , 3nm(N3)将在明年晚些时候风险试产 , 2022年投入大规模量产 。相较于5nm , 3nm将可以带来25~30%的功耗减少、10~15%的性能提升 。
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4nm(N4)同样定于明年晚些时候风险试产 , 2022年量产 。对于台积电N5客户来说 , 将能非常平滑地过渡到N4 , 也就是流片成本大大降低、进度大大加快 。
当然 , 台积电不是唯一一家3nm厂商 , 三星的雄心更大 , 明年就想把3nm推向市场 。而且在核心技术方面 , 三星的3nm将改用Gate-All-Around(GAA , 环绕栅极晶体管) , 台积电则是坚守FinFET(鳍式场效应晶体管) 。
三星比较鸡贼 , 3nm对比的是7nm , 号称可将核心面积减少45% , 功耗降低50% , 性能提升35% 。
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