行业互联网|三星宣布全新IC封装技术，可用于5纳米芯片制造行业互联网

数月前台积电和三星的芯片代工厂相继投产5 nm EUV工艺制程的芯片，但三星在这几个月期间依旧在改进其IC封装技术。今天早些时候，三星宣布其最新的X-Cube 3D IC封装技术已经可以投入使用，该技术能提供更快的速度和更好的能源效率。
【行业互联网|三星宣布全新IC封装技术，可用于5纳米芯片制造】

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三星旗下的圆晶厂已经使用该技术进行了测试芯片的生产，该技术可用于7 nm和5 nm工艺制程的芯片生产线。通过多个芯片的超薄堆叠，可以制造更紧凑的逻辑半导体，该工艺采用了通硅通（TSV）技术进行垂直电连接，而不是使用导线。由于采用了TSV技术，芯片中不同堆栈之间的信号路径大大减少，提高了数据传输速度和能源效率。各种逻辑块、存储器和存储芯片可以相互堆叠，以创造更紧凑的硅封装。
这种堆叠封装的方式就像搭积木一样将芯片堆起来，由原本的平面堆叠变为立体堆叠，减少了芯片占用面积，提高了芯片集成度。
值得一提的是，此前台积电和英特尔都公布过自家的芯片3D封装技术，技术原理上相似，但是各家的方法并不相同。三星也表示将继续与全球的无晶圆半导体公司合作，将该技术部署在新一代高性能芯片之中。