器件|湖北设立8大省级科技重大专项，预计3年突破先进闪存器件生产代码|突破|三维|

【器件|湖北设立8大省级科技重大专项，预计3年突破先进闪存器件生产】_原题为 湖北设立8大省级科技重大专项，预计3年突破先进闪存器件生产
近日，湖北省科技厅发布2020年度省级科技重大专项申报指南，正式启动科技重大专项申报工作。
据长江日报指出，此次申报工作确定首批启动先进存储器、光通信与5G网络、测绘遥感大数据高效处理与智能分析、激光精密制造、智能网联汽车、智能建造、湖北中药质控标准物质研究和新一代人工智能8个专项，拟资助金额8000万元，专项实施周期为三年，项目实施预计可突破高密度低功耗三维堆叠代码型闪存器件生产等重大关键技术30项。
其中，先进存储器科技重大专项重点围绕5G+AI+云生态系统下的可穿戴式设备和智能家电产品对大存储容量和高存储密度代码型闪存（NOR Flash）提出的迫切需求开展技术攻关、产品研制、应用示范，专项实施使湖北省三维堆叠代码型闪存生产关键技术和产品达到国际领先水平，形成一批具有湖北特色、引领国内技术发展的先进技术成果，为实现湖北省集成电路产业的高速发展提供科技支撑。
据悉，该重大专项拟安排专项资金1000万元。在三维堆叠代码型闪存的器件建模、芯片设计和工艺开发、可靠性和失效分析、高速缓存应用4个技术方向，设置4个课题。
其中，三维代码型闪存器件建模及性能优化研究课题的内容为面向代码型闪存（NOR Flash）芯片大存储容量和高存储密度的迫切需求，开发提高浮栅晶体管性能的超临界处理方法；研究存储单元性能衰减的再恢复和再生方法；开展三维代码型闪存芯片的热管理建模研究；开展基于仿真的浮栅晶体管新材料新结构的研究。
三维堆叠代码型闪存芯片设计及工艺制造技术课题的内容为面向新兴电子产品对大存储容量和高存储密度代码型闪存（NOR Flash）芯片提出的迫切需求，研究基于三维特种工艺的代码型闪存芯片的设计技术，研究基于三维架构的代码型闪存半导体制造工艺技术，实现超越传统二维代码型闪存产品的业界最小的芯片面积和最高存储密度。
三维堆叠代码型闪存的可靠性及失效分析研究课题的内容为针对三维堆叠代码型闪存（NOR Flash）由于特殊设计和工艺带来的不同于平面器件的读写等其他电学操作特性，搭建三维堆叠代码型闪存测试系统，开发相应测试方案；对失效三维代码闪存芯片开展其失效分析工作，确定不同工作环境下失效模型和失效机理，提出三维堆叠代码型闪存提升可靠性的解决方案。
高密度非易失存储与图像传感一体化芯片研制课题的内容为面向生物医疗和人工智能时代的高像素新型图像传感中信息高速非易失缓存的需求，研究图像传感器的垂直电荷转移及其存储机制，将浮栅式闪存与图像传感相结合，开发新架构、工艺流程和应用芯片产品，实现存储与图像传感一体化，打破传统图像传感器缓存的“存储墙”难题，实现超小型像素尺寸和即时非易失缓存的技术突破。
来源：全球半导体观察
封面图片来源：拍信网