[]不妄自菲薄也不盲目自大：分析长江存储128层3D闪存

4月13日，长江存储宣布推出128层堆叠的3D QLC闪存（代号X2-6070），创造了多个世界第一：第一款128层堆叠的3D QLC闪存、第一快的闪存接口1600MT/s 。追平世界记录：单颗NAND芯片容量1.33Tb 。

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【[]不妄自菲薄也不盲目自大：分析长江存储128层3D闪存】
在见过太多的国产吹之后，让我们梳理一下信息，来看看长江存储宣布的这些信息含金量如何。对比世界五大闪存原厂（美光和英特尔已经分家），当前已经实现的堆叠层数记录最高者是英特尔的144层堆叠3D QLC ，不过128层堆叠的3D QLC的确是由长江存储首发的：SK Hynix的128层V6虽然宣布较早，但只有3D TLC类型， QLC则属于96层堆叠的V5 。

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作为闪存制造商中的后来者，长江存储如何做到在短短几年内追赶上众多国际大厂？我们不必怀疑它的原创性，今年3月底半导体产业研究公司Tech Insights已经分析过长江存储的64层堆叠闪存，并没有抄袭其他原厂，并且印证了长江存储独特的Xtacking架构。

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Xtacking技术允许在单独的晶圆上制造NAND外围电路和存储单元，然后通过晶圆对晶圆键合将其整合为一体。除了提升存储密度之外， Xtacking的另一个优势也在128层堆叠3D闪存中得到了体现，由于CMOS电路可以选用更先进的制程，外围电路可以为闪存芯片实现更高的闪存接口速度。

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长江存储为何能够跳过96层堆叠，直接实现业界领先水平的128层堆叠？这一点同样不用怀疑。长江存储的128层堆叠闪存很可能是2个64层串堆叠而成，美光的64层堆叠也是用2个32层串堆叠而来，通过这一方式可以快速实现堆叠层数的提升。当然从制造成本控制来说，不使用string stack的三星1xx层V6闪存会更先进一些。
对于国产闪存，我们不必妄自菲薄，也不能盲目自大。直接从3D闪存起步，跳级追上世界一流水平，长江存储已经实现了弯道超车，并拥有了自己的创新技术。我们应该能够在1年内用上完全国产闪存的固态硬盘。