『科技摆乾坤』终于超越三星，中国攻克128层3D NAND闪存技术，紫光闪存弯道超车

近年来，随着中国电子消费产业的快速崛起，华为、小米、OPPO等一大批电子消费产业的代表企业正在全球崛起，中国对芯片的需求，尤其是最先进的3D NAND闪存需求日益增大。然而最先进的3D NAND闪存被以三星为代表的日本东芝、韩国海力士、美光、英特尔等国外企业所垄断，国内电子消费产业饱受没有定价权、国外内存企业肆意操控价格之苦，让中国电子消费产业的发展面临很大的不确定性。

本文插图
【『科技摆乾坤』终于超越三星，中国攻克128层3D NAND闪存技术，紫光闪存弯道超车】长期以来，全球的内存消费呈现持续的下滑，而中国内存市场却出现每年20%以上的增长，自2016年下半年开始内存芯片就开始了长达多年的涨价趋势，这段时间也以三星等韩国企业获利最为丰厚。 2019年中国内存芯片的进口额达到了1600亿美元， DRAM 和NAND两大内存占据了其中的97% ，成为了主要增长点，随着中国内存芯片需求的高速增长，也让以三星为代表的韩国内内存企业赚的盆满钵满。

本文插图
然而， 2020年4月长江存储突然宣布，该公司的国产128层3D NAND闪存经过三年攻关，终于研发成功，打破了韩日美三国的垄断，向世界宣告了国产闪存芯片受制于人的时代一去不复返了。要知道国产32层3D NAND闪存芯片2016年才要发成功，而同期三星等国外企业已经进入了96层芯片，经过了短短三年， 2019年长江存储宣布64层3D NAND研发成功，现在又宣布全球最高端的128层3D NAND研发成成功进入量产，长江存储终于超越三星为代表的韩国企业，实现了闪存芯片上的弯道超车，这意味着中国新的闪存巨头终于崛起。

本文插图
据悉，紫光旗下的长江存储闪存芯片的成功得益于紫光研发的独立Xtacking架构，这种基于Xtacking架构的3D NAND闪存技术，让长江存储的的3D NAND闪存具有更高的性能和更高的存储密度。近期随着Xtacking架构升级到了Xtacking2.0 ，厂家存储的的3D NAND闪存进一笔提升了运行速率，进一步从整体上提高了存储效率。不仅如此，除了存储效率由于三星等韩国企业外，速度上也超过了1200Mbps ，经过多家控制器厂商的验证也证明了优于三星、东芝、海力士等韩日企业，也就是说，长江存储的的闪存芯片五路从容量、密度、速度以及性能上都要领先三星等企业，成为了名副其实的世界第一梯队。

本文插图
众所周知，芯片是一个技术难度相对较高的行业，正产情况下只能一步一步提高，而长江存储打破了技术上的限制，直接跨越96层技术，直接进入128层闪存次年片的研发并取得了成功。据我所知在芯片领域只有台积电从12nm技术成功跨入了7nm芯片的研发并取得成功，这一次长江存储的跨越式研发可以说是闪存芯片历史上的首次跨越成功，让中国闪存芯片成功进入了世界最高等级，堪称一次大胆的尝试。

本文插图
虽然长江存储在技术上实现了跨越，也仅仅是追平三星，没有形成代差，因此中国存储芯片未来仍然任重而道远。而且在产能上也无法和三星相比，目前长江存储的产能年底才能达到6万片，而全球的产能已经达到130万片，长江存储的产能只相当于全球产能的3% ，从全球来说仍然无法形成话语权和主导权，但是对中国来说毕竟是走出了第一步。分页标题

本文插图
虽然长江存储的产能还不足以制约国外芯片，但也终于让国内厂家扬眉吐气，终于不用在芯片口上委曲求全看国外厂商的脸色，也终于可以对国外厂商可以说不。而且随着长江存储、合肥长鑫、粤芯等国产商的崛起，未来中国会有更多的内存厂商进入全球第一梯队，弯道超车也将成为常态，中国厂商必将在内存领域全面崛起。