「华为公司」华为、长鑫、武汉新芯、瓴盛“芯”消息不断 |华为海思|技术|

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集微网消息（文/图图）长鑫存储产能正在爬坡、武汉新芯产能利用率达到100%、百亿中鸿新晶第三代半导体产业集群项目落地济南、华为自研GaN快充充电器主控芯片、日月光拿下中兴通讯5G基站芯片订单、云塔科技推出自主研制5G毫米波滤波器…….
签约、开工浪潮过后，本周有部分重大项目与企业传捷报。
长鑫存储
据新华社报道，在长鑫存储技术有限公司，一台台来自全球各地的设备正在紧锣密鼓地安装调试中。这是长鑫存储2019年投产的内存芯片设计和制造项目，它给全球半导体设备和耗材供应商带来共赢商机。长鑫存储执行副总裁刘红雨表示，公司产品已通过部分头部企业的产线验证，产能正在爬坡，今年计划月产4万片12英寸晶圆。
武汉新芯
据武汉新芯官方消息，在70多天的防疫战中，武汉新芯厂内员工、厂商人员及所有后勤保障人员无一感染。同时，随着武汉防疫形势的好转，武汉新芯也从3月28日开始，产能利用率达到100% ，并从4月6日开始，连续创出日运载率指数历史新高。
此外，在过去两个多月的防疫战中，武汉新芯综合产能利用率始终保持在70%以上。

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中鸿新晶第三代半导体产业集群项目
4月8日，中鸿新晶第三代半导体产业集群项目（彩虹集团LED）签约落地济南。中鸿项目计划总建设周期5年，项目总投资111亿元，完成并购瑞典ASCATRON公司，致力于打造全球领先的“国家级战略新兴半导体研究院” 。
该项目一期产业投资8亿元，计划3年内完成第三代半导体产业集群初步建设，完成深紫外LED生产线20条， 6-8英寸碳化硅单晶生产、加工、碳化硅外延生产线各2条，氮化镓中试线1条。一期完成后，将实现年产值20亿元。项目二期投资51亿元，完成第三代半导体产业基金的募集工作，并购瑞典ASCATRON（艾斯科强）公司，计划2年内完成6-8英寸碳化硅单晶扩产、6-8英寸氮化镓外延、射频器件、功率器件生产线各1条。二期完成后，将实现年产值120亿元。项目三期投资52亿元，将ASCATRON公司后续芯片生产全部转移至中国，项目建成后预期将带动上下游产业近千亿元产值。
徐州鑫晶半导体大硅片项目
据徐州日报报道，作为江苏省级重大产业项目，徐州鑫晶半导体大硅片项目年内将全部竣工投产。
徐州鑫晶半导体大硅片项目总投资150亿元，一期投资94.5亿元，是协鑫集团在江苏鑫华半导体项目投产之后，在徐州的又一布局。该大硅片项目规划建设国际先进的8英寸、12英寸半导体大硅片长晶及切磨抛生产线，规划产能各30万片/月。 2019年12月9日，徐州鑫晶半导体12英寸大硅片长晶产线试产成功。
靖江先锋半导体
自2019年启动新厂区建设后，目前靖江先锋半导体科技有限公司基建工程主体已经完工，预计6月份投产。据靖江市科学技术协会消息，目前，该企业新研发的用于5纳米芯片工艺的刻蚀机核心零部件已经研发成功，在新厂区投用后即将投入生产。
华为
4月8日晚，华为2020春季新品发布会正式发布65W GaN双口超级快充充电器，支持Type-A和Type-C双口充电，能给手机、平台和PC充电。

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关于华为GaN快充充电器的电源管理IC芯片，据《科创板日报》报道，有行业人士推测为华为所投的杰华特和海思共同开发的自研芯片。
但《科创板日报》采访人员分别从供应链和华为内部获悉，这款充电器的主控功率IC芯片，实际由华为自研，而杰华特并没有参与，并从供应链获悉，华为充电器新品整体外包给住友电工，核心的GaN MOSFET由稳懋半导体代工。分页标题
此外，据The Elec本周报道，华为公司今年将在韩国成立云计算和人工智能业务集团，以打入目前由英伟达主导的GPU服务器市场。
日月光
据电子时报报道，继华为海思后，日月光投控进一步以2.5D/interposer技术为基础的先进封测制程，拿下中兴通讯自主开发5G基站芯片量产大单。
云塔科技
近日，安徽云塔电子科技有限公司联合中国科学技术大学微电子学院，发布了其自主研制的5G毫米波滤波器。
云塔科技向集微网采访人员表示，目前在全球范围内，工作在毫米波频段的微型滤波器解决方案近乎空白。这是中国厂商首次在5G毫米波频段研制成功该类微型化滤波器产品，尺寸仅为2.5×2.0mm 。
瓴盛科技
集微网还从业内人士处获悉得知，瓴盛科技即将推出第一款面向多领域的AIoT芯片产品，该款芯片一次性流片成功，预计将于今年下半年正式量产。（校对/小如）
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